三星布局5nm、4nm、3nm工艺：直逼物理极限

这两年，三星电子、台积电在半导体工艺上一路飞驰，虽然有技术之争但把曾多次的领导者Intel相比之下扯在身后早已是不争的事实。在美国举办的三星工艺论坛SFF2018USA之上，三星堪称宣告将倒数进占5nm、4nm、3nm工艺，直扑物理无限大！7LPP（7nmLowPowerPlus）三星将在7LPP工艺上首次应用于EUV极紫外光刻技术，预计今年下半年投产。关键IP正在研发中，明年上半年已完成。

5LPE（5nmLowPowerEarly）在7LPP工艺的基础上之后创意改良，可更进一步增大芯片核心面积，带给超强低功耗。4LPE／LPP（4nmLowPowerEarly／Plus）最后一次应用于高度成熟期和行业检验的FinFET立体晶体管技术，融合此前5LPE工艺的成熟技术，芯片面积更加小，性能更高，可以较慢超过低良率量产，也便利客户升级。

3GAAE／GAAP（3nmGate－All－AroundEarly／Plus）Gate－All－Around就是环绕着栅极，比起于现在的FinFETTri－Gate三栅极设计，将新的设计晶体管底层结构，解决当前技术的物理、性能无限大，强化栅极掌控，性能大大提高。三星的GAA技术叫作MBCFET（多桥地下通道场效应管），正在用于纳米层设备研发之中。大家有可能以为三星的工艺主要用来生产移动处理器等低功耗设备，但只不过在高性能领域，三星也打算了杀手锏，大规模数据中心、AI人工智能、ML机器学习，7LPP和先前工艺都能获取服务，并有一整套平台解决方案。比如高速的100GbpsSerDes（串行切换解串器），三星就设计了2．5D／3D异构PCB技术。

而针对5G、车联网领域的低功耗微控制器（MCU）、下代联网设备，三星也将获取全套原始的交钥匙平台方案，从28／18nmeMRA／RF到10／8nmFinFET任君自由选择。同时，三星在补足讲话中提及，“KeyIP”将在2019年上半年构建交付给，这就意味著某个客户的处理器芯片早已向三星下订单了，明年就能交付给。

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